描述：CVD是化學(xué)氣相沉積的英文簡寫，本公司生產(chǎn)的單溫區(qū)CVD管式爐系統(tǒng)是利用管式爐加熱，把構(gòu)成固態(tài)沉積物的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入爐管內(nèi)，在爐管內(nèi)使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。
| 品牌 | 其他品牌 | 升溫速度（達(dá)到最高溫） | 60/min |
|---|---|---|---|
| 內(nèi)部尺寸 | φ50--φ200mm | 加熱方式 | 合金電阻絲 |
| 最大功率 | 6000kW | 控溫精度 | ±1℃℃ |
| 最高溫度 | 1200℃ | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
| 儀器種類 | 管式爐 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥 |
CSK2-12DZ單溫區(qū)1200度系列CVD系統(tǒng)
CVD是化學(xué)氣相沉積的英文簡寫，本公司生產(chǎn)的CVD系統(tǒng)是利用管式爐加熱，把構(gòu)成固態(tài)沉積物的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入爐管內(nèi)，在爐管內(nèi)使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。
CVD系統(tǒng)分類：
CVD技術(shù)常常通過反應(yīng)類型或者壓力來分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強(qiáng)CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機(jī)物CVD(MOCVD)，根據(jù)金屬源的自特性來保證它的分類，這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài)，在導(dǎo)入容器之前必須先將它氣化。
CSK2-12DZ系列單溫區(qū)CVD系統(tǒng)組成：
CVD系統(tǒng)=管式爐+真空抽氣系統(tǒng)+多路供氣系統(tǒng)（或者液態(tài)蒸發(fā)系統(tǒng)）
CSK2-12DZ系列單溫區(qū)CVD系統(tǒng)配置選擇：
管式爐：
SK2-12DZ 管式真空氣氛爐，1200℃，管徑：50—200mm
真空抽氣系統(tǒng)：
LVSE-0.1低真空控制系統(tǒng)
HVSE高真空控制系統(tǒng)
多路供氣系統(tǒng)：
ZDS-X多路質(zhì)子流量計(jì)控制供氣系統(tǒng)
FDS-X多路浮子流量計(jì)控制供氣系統(tǒng)
PECVD系統(tǒng)：
PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD).
PECVD系統(tǒng)的中文名是等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)。是在CVD的基礎(chǔ)上加一個(gè)射頻電源，這個(gè)射頻電源通過感應(yīng)線圈使管式爐爐管內(nèi)氣體形成等離子體，等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，從而在基片上沉積出所期望的固態(tài)沉積物。PECVD具有比普通CVD沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高、沉積所需的溫度低等優(yōu)點(diǎn)。PECVD是由CVD系統(tǒng)再加一個(gè)PE500射頻電源、線圈組成
