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單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)

描述:單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)由滑竿式真空管式爐、石英真空室、射頻電源、供氣系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)組成。單溫區(qū)滑竿式PECVD系統(tǒng)相對于CVD系統(tǒng)增加了等離子發(fā)生器

更新時間:2024-11-20
產(chǎn)品型號:HGSK2-10-12DZ-PECVD
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問次數(shù):1275
詳情介紹
品牌其他品牌升溫速度(達(dá)到最高溫)60/min
內(nèi)部尺寸φ100mm加熱方式合金電阻絲
最大功率3500kW控溫精度±1℃℃
最高溫度1200℃價格區(qū)間面議
儀器種類管式爐產(chǎn)地類別國產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥

單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)

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一、PECVD系統(tǒng)組成:

單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)由滑竿式真空管式爐、石英真空室、射頻電源、供氣系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)組成。


二、系統(tǒng)特點(diǎn):

1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)

2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低

3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小

4、單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高

5、廣泛應(yīng)用于:各種薄膜的生長


三、系統(tǒng)組成

1、HGSK2-10-12DZ單溫區(qū)滑竿式管式爐

1.1、爐管尺寸:φ100*1800mm

1.2、爐管材質(zhì):石英玻璃

1.3、外型尺寸:1800*460*660mm

1.4、溫區(qū)數(shù)量:單溫區(qū)

1.5、設(shè)計溫度:1200

1.6、電源功率:AV200V\50Hz;3.5kw

1.7、滑軌材質(zhì):不銹鋼

1.8、滑動方式:手動不銹鋼滾珠軸承

1.9、控溫儀表:智能30段程序控溫儀表

1.10、控溫精度:±1

1.11、加熱區(qū)長度:400mm

1.12、控制方式:可控硅觸發(fā)控制

1.13、熱電偶:K

1.14、安全措施:超溫、過壓、過流

1.15、真空密封:不銹鋼法蘭

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2、射頻電源(等離子發(fā)生器)

2.1、功率范圍:0-500w

2.2、最大發(fā)射功率:200w

2.3、射頻寬度:0-600mm

2.4、射頻接口:50Ω N-TYPE

2.5、射頻工作頻率:13.56MHZ

2.6、電源:AC220v、50Hz

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3、供氣系統(tǒng)

3.1、雙路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)

3.2、質(zhì)子流量計流量范圍可選

3.3、進(jìn)出氣接口:標(biāo)配雙卡套不銹鋼接頭

3.4、供氣系統(tǒng)壓力范圍:0.1-0.5MPa

3.5、混氣室:φ50*400mm

3.6、接口規(guī)格:φ6  1/4"

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4、真空抽氣系統(tǒng)

4.1、真空泵FX-16

4.1.1、極限壓強(qiáng):4*10-2Pa

4.1.2、進(jìn)氣接口:KF25

4.1.3、電機(jī)轉(zhuǎn)速:1440RPM

4.1.4、抽氣速率:4L/S

4.1.5、電機(jī)功率:550w

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4.2、電阻真空計ZDR-1

4.2.1、功率:25w

4.2.2、真空度范圍:0.1-10*5Pa

4.2.3、電阻硅:ZJ-52T

 

HGSK2-10-12DZ-PECVD單溫區(qū)滑竿式PECVD系統(tǒng)配置:

單溫區(qū)滑竿式管式爐一臺、射頻電源一套、兩路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)一套、抽真空系統(tǒng)一套


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